RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
42
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
14.8
Скорость записи, Гб/сек
7.2
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2063
2542
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link