RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
65
Около -150% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
19.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
4022
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link