RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
3200
Около 8 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
25600
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3221
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link