RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Сравнить
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB против G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,036.1
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
75
Около -168% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,986.4
18.1
Скорость записи, Гб/сек
2,036.1
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
714
3536
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link