RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
75
Около -178% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
2,036.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,986.4
13.8
Скорость записи, Гб/сек
2,036.1
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
714
2323
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link