RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Сравнить
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB против Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,036.1
15.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
75
Около -275% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,986.4
19.4
Скорость записи, Гб/сек
2,036.1
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
714
3395
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link