RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,036.1
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
75
Около -188% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,986.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
2,036.1
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
714
3757
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link