RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Сравнить
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB против Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Средняя оценка
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
71
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
71
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.3
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2095
1866
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link