RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
36
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
17.1
Скорость записи, Гб/сек
9.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
3480
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link