RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3372
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link