RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Сравнить
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
65
Около 35% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
65
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.3
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2095
1921
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Elpida EBJ41UF8BCF0-DJ-F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link