RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
65
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
52
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2893
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link