RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
52
65
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
52
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
13.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2893
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link