RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Сравнить
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB против Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
38
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2829
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link