RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Сравнить
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB против Micron Technology 16G3200CL22 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
13.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
14.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1995
2663
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link