RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
35
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
14.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1995
2336
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link