RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сравнить
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1995
3004
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link