RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Сравнить
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB против G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.8
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
20.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2030
3901
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link