RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
44
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3260
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link