RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
72
Около 46% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
72
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
6.8
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1954
1593
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link