Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB против SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Средняя оценка

SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB

SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB

Причины выбрать
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 37

Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.7 13.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.3 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 21
Скорость чтения, Гб/сек

13.7 17.7
Скорость записи, Гб/сек

7.8 13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2102 3042

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB

Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB

SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB

Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB

Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

модули RAM

Corsair CMSO8GX3M1C1600C11 8GB

Corsair CMSO8GX3M1C1600C11 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Kingston 9905678-138.A00G 8GB

Kingston 9905678-138.A00G 8GB

модули RAM