RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Сравнить
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB против V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
66
Около 44% меньшая задержка
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
66
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2102
1934
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link