RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сравнить
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
16.6
Скорость записи, Гб/сек
6.7
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1857
2605
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905474-043.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link