Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB против Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Средняя оценка

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 95

Около 71% меньшая задержка

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.8 11.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.3 6.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 95
Скорость чтения, Гб/сек

11.5 15.8
Скорость записи, Гб/сек

6.7 7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1857 1518

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB

Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB

Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB

Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB

Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208

A-DATA Technology 11137401 8GB

A-DATA Technology 11137401 8GB

модули RAM