RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.7
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
13.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.1
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.7
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2009
2339
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link