RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сравнить
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
36
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.1
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.1
9.3
Скорость записи, Гб/сек
7.7
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2009
1891
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link