RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
40
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2125
2382
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link