Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB против Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Средняя оценка

Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB

Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 23

Около 4% меньшая задержка

Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB

Причины выбрать
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.5 15.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.9 9.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

22 23
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 17.5
Скорость записи, Гб/сек

9.8 12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2510 3208

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB

Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB

Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB

Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB

Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

модули RAM

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB

Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB

модули RAM