RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2489
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link