RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2489
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link