RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2489
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link