RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
25
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
25
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2489
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX16 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link