RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Сравнить
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB против G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
26
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
18.5
Скорость записи, Гб/сек
9.8
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2510
3332
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link