RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
50
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1899
3061
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.T16 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link