RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
69
Около -176% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3023
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link