RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB против Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
33
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.5
9.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
9.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1917
2286
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link