RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
5.2
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1731
2925
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link