RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
13.5
Скорость записи, Гб/сек
5.2
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1731
2330
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link