Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB против Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 84
    Около -200% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.4 left arrow 5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.5 left arrow 3.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    23400 left arrow 12800
    Около 1.83 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    84 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    5.0 left arrow 17.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    3.6 left arrow 14.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 23400
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    878 left arrow 3419
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения