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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

总分
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

总分
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB 需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 84
    左右 -200% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.4 left arrow 5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.5 left arrow 3.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    23400 left arrow 12800
    左右 1.83 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    84 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    5.0 left arrow 17.4
  • 写入速度，GB/s
    3.6 left arrow 14.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    878 left arrow 3419

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