RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB против Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Средняя оценка
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1906
3167
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link