RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB против Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
86
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
86
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1906
1658
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link