RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Compara
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Puntuación global
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
86
En 64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
86
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1906
1658
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link