RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
19.4
Скорость записи, Гб/сек
8.5
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
3726
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link