RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.2
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
2731
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link