RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
39
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
24
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
10.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2165
2731
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G4D1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link