RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.9
9.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
37
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
9.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
1949
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link