RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
48
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
11.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
48
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
2196
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link