RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
27
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
22
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
3013
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link