RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.5
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.5
11.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
26
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
13.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
2157
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link