RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
44
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.9
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
5.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
44
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
8.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
1660
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link