RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
44
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.9
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
5.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
44
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
8.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
1660
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link